采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT8N80L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.63Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：979}
包装规格(MPQ)：198psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3659-AZ
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1.7nF@10V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@40A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT8N80L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.63Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6D1N08HT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@120μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.085nF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF5N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：891pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：198psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3659-AZ
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1.7nF@10V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@40A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：27200}
包装规格(MPQ)：163psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2172N-EL-E
功率：20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2.42nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP32N055SHE-E1-AY
功率：66W€1.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.6nF@25V
连续漏极电流：32A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：979}
包装规格(MPQ)：198psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3659-AZ
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1.7nF@10V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@40A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6D1N08HT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@120μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.085nF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT8N80L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.63Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6D1N08HT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@120μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.085nF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：979}
包装规格(MPQ)：198psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3659-AZ
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1.7nF@10V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@40A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511ENJTL
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511ENJTL
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740
工作温度：-55℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.162nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：17pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，5A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740
工作温度：-55℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.162nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：17pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，5A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740
工作温度：-55℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.162nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：17pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，5A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP32N055SHE-E1-AY
功率：66W€1.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.6nF@25V
连续漏极电流：32A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD75N04S406
工作温度：-55℃~+175℃
功率：58W
阈值电压：4V@26μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
