采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740ASPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.03nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740ASPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.03nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1.03nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1.9nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740ASPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.03nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740ASPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.03nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740ASPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.03nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.255nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740ASPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.03nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740ASPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.03nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.255nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740ASPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.03nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.06nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1.9nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740ASPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.03nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1.9nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.255nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740ASPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.03nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.255nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1.9nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740ASPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.03nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1.9nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
