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    类型: 1个N沟道
    栅极电荷: 46nC@10V
    当前匹配商品:5
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    onsemi Mosfet场效应管 NVB125N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB125N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB125N65S3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:181W

    阈值电压:4.5V@590μA

    栅极电荷:46nC@10V

    输入电容:1.94nF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G06N06S 起订31个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G06N06S 起订31个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G06N06S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:46nC@10V

    输入电容:1.6nF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB125N65S3 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB125N65S3 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB125N65S3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:181W

    阈值电压:4.5V@590μA

    栅极电荷:46nC@10V

    输入电容:1.94nF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB125N65S3 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB125N65S3 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB125N65S3

    漏源电压:650V

    功率:181W

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:4.5V@590μA

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:46nC@10V

    连续漏极电流:24A

    导通电阻:125mΩ@12A,10V

    输入电容:1.94nF@400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ34PBF 起订数2000个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ34PBF 起订数2000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:46nC@10V

    输入电容:1.2nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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