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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD11N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€30W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：9.3nC@10V
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：11A€3.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD11N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€30W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：9.3nC@10V
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：11A€3.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD11N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€30W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：9.3nC@10V
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：11A€3.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3460
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.75V@250μA
栅极电荷：9.3nC@10V
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：23pF@15V
导通电阻：55mΩ@10V，2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3460
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.75V@250μA
栅极电荷：9.3nC@10V
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：23pF@15V
导通电阻：55mΩ@10V，2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD11N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€30W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：9.3nC@10V
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：11A€3.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD3N150
功率：250W
阈值电压：4.1V@250μA
栅极电荷：9.3nC@10V
输入电容：1.938nF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.4pF@25V
导通电阻：5.2Ω@10V，1.5A
漏源电压：1.5kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD3N150
功率：250W
阈值电压：4.1V@250μA
栅极电荷：9.3nC@10V
输入电容：1.938nF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.4pF@25V
导通电阻：5.2Ω@10V，1.5A
漏源电压：1.5kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD3N150
功率：250W
阈值电压：4.1V@250μA
栅极电荷：9.3nC@10V
输入电容：1.938nF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.4pF@25V
导通电阻：5.2Ω@10V，1.5A
漏源电压：1.5kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD3N150
功率：250W
阈值电压：4.1V@250μA
栅极电荷：9.3nC@10V
输入电容：1.938nF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.4pF@25V
导通电阻：5.2Ω@10V，1.5A
漏源电压：1.5kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP373NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@218μA
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD3N150
功率：250W
阈值电压：4.1V@250μA
栅极电荷：9.3nC@10V
输入电容：1.938nF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.4pF@25V
导通电阻：5.2Ω@10V，1.5A
漏源电压：1.5kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD3N150
阈值电压：4.1V@250μA
类型：1个N沟道
输入电容：1.938nF@25V
栅极电荷：9.3nC@10V
功率：250W
漏源电压：1.5kV
导通电阻：5.2Ω@10V，1.5A
连续漏极电流：3A
反向传输电容：2.4pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD3N150
阈值电压：4.1V@250μA
类型：1个N沟道
输入电容：1.938nF@25V
栅极电荷：9.3nC@10V
功率：250W
漏源电压：1.5kV
导通电阻：5.2Ω@10V，1.5A
连续漏极电流：3A
反向传输电容：2.4pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
