采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：107.1W€3.8W
阈值电压：3V@210μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：4.301nF@25V
连续漏极电流：185A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：62500，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€167W
阈值电压：2.8V@95μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.2nF@30V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L08BGNTL
功率：119W
阈值电压：2.5V@100μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：3.62nF@30V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€167W
阈值电压：2.8V@95μA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.2nF@30V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：107.1W€3.8W
阈值电压：3V@210μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：4.301nF@25V
连续漏极电流：185A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR570DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.74nF@75V
连续漏极电流：19A€77.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.9mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L08BGNTL
功率：119W
阈值电压：2.5V@100μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：3.62nF@30V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€167W
阈值电压：2.8V@95μA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.2nF@30V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€167W
阈值电压：2.8V@95μA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.2nF@30V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L08BGNTL
功率：119W
阈值电压：2.5V@100μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：3.62nF@30V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2954}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：62500，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€167W
阈值电压：2.8V@95μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.2nF@30V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L08BGNTL
功率：119W
阈值电压：2.5V@100μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：3.62nF@30V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€167W
阈值电压：2.8V@95μA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.2nF@30V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：107.1W€3.8W
阈值电压：3V@210μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：4.301nF@25V
连续漏极电流：185A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2954}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2954}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€167W
阈值电压：2.8V@95μA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.2nF@30V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€167W
阈值电压：2.8V@95μA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.2nF@30V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：107.1W€3.8W
阈值电压：3V@210μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：4.301nF@25V
连续漏极电流：185A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€167W
阈值电压：2.8V@95μA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.2nF@30V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€167W
阈值电压：2.8V@95μA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.2nF@30V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：62500，"MI+"：5000}
规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.8V@95μA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
功率：3W€167W
输入电容：5.2nF@30V
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€167W
阈值电压：2.8V@95μA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.2nF@30V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2954}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：107.1W€3.8W
阈值电压：3V@210μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：4.301nF@25V
连续漏极电流：185A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
