品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
功率:294W
连续漏极电流:170A
输入电容:8nF@40V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.6V@1mA
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
输入电容:6.49nF@50V
漏源电压:100V
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
功率:294W
连续漏极电流:170A
输入电容:8nF@40V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.6V@1mA
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
功率:294W
连续漏极电流:170A
输入电容:8nF@40V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.6V@1mA
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4115TRL7PP
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
阈值电压:5V@250μA
功率:380W
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:5.32nF@50V
连续漏极电流:105A
导通电阻:11.8mΩ@63A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRFS4321TRLPBF
功率:350W
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
阈值电压:5V@250μA
输入电容:4.46nF@25V
连续漏极电流:85A
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:15mΩ@33A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
栅极电荷:110nC@10V
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250μA
功率:310W
包装方式:管件
连续漏极电流:12A€80A
工作温度:-55℃~+175℃
漏源电压:100V
输入电容:6nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: