品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC@10V
输入电容:4.057nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC@10V
输入电容:4.057nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MASPOWER
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MS100N20HGC0
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC
输入电容:4.057nF
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:161pF
导通电阻:38mΩ@10V,50A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB107N20N3G
功率:300W
阈值电压:4V@270μA
连续漏极电流:88A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.7mΩ@10V,88A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP86N20X4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:2.25nF@25V
连续漏极电流:86A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@43A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP260MPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.057nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MASPOWER
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MS100N20HGC0
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC
输入电容:4.057nF
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:161pF
导通电阻:38mΩ@10V,50A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT9166T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:186nC@Vgs=10V
输入电容:11.636nF@Vds=100V
连续漏极电流:114A
类型:1个N沟道
反向传输电容:60pF@Vds=100V
导通电阻:6mΩ@10V,50A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT9166T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:186nC@Vgs=10V
输入电容:11.636nF@Vds=100V
连续漏极电流:114A
类型:1个N沟道
反向传输电容:60pF@Vds=100V
导通电阻:6mΩ@10V,50A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT9166T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:186nC@Vgs=10V
输入电容:11.636nF@Vds=100V
连续漏极电流:114A
类型:1个N沟道
反向传输电容:60pF@Vds=100V
导通电阻:6mΩ@10V,50A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH50N20
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300W
阈值电压:4V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.4nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@25A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC@10V
输入电容:4.057nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC@10V
输入电容:4.057nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP86N20X4
栅极电荷:70nC@10V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
输入电容:2.25nF@25V
连续漏极电流:86A
导通电阻:13mΩ@43A,10V
阈值电压:4.5V@250μA
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: