品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G160N04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.01nF@20V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:76pF@20V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G160N04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.01nF@20V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:76pF@20V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:59A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C464NT4G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:59A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.215nF@20V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10V,15A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:59A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:59A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G160N04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.01nF@20V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:76pF@20V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C464NT4G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:59A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
输入电容:1.2nF@25V
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:20nC@10V
功率:3W€40W
连续漏极电流:59A€16A
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115
输入电容:1.215nF@20V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
导通电阻:8.6mΩ@10V,15A
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:20nC@10V
阈值电压:4V@1mA
功率:74W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: