品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.5nF@10V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.5nF@10V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.5nF@10V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.5nF@10V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.5nF@10V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.5nF@10V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.5nF@10V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.5nF@10V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
连续漏极电流:160A
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
输入电容:5.5nF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
连续漏极电流:160A
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
输入电容:5.5nF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
连续漏极电流:160A
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
输入电容:5.5nF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.5nF@10V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.5nF@10V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: