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    品牌: VISHAY
    类型: 1个N沟道
    漏源电压: 40V
    工作温度: -55℃~+150℃
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:4.2W€36W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:2nF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,16A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:340pF@20V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:42mΩ@10V,4.3A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:4.6W€46W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:77nC@10V

    输入电容:3.54nF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:340pF@20V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:42mΩ@10V,4.3A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:370pF@20V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:51mΩ@10V,3.2A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:4.6W€46W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:77nC@10V

    输入电容:3.54nF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:370pF@20V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:51mΩ@10V,3.2A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:370pF@20V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:51mΩ@10V,3.2A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR836DP-T1-GE3 起订数5000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR836DP-T1-GE3 起订数5000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.9W€15.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    输入电容:600pF@20V

    连续漏极电流:21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:19mΩ@10V,10A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2318DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2332

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2318CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@20V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:42mΩ@10V,4.3A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2332

    规格型号(MPN):SI2318CDS-T1-GE3

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    导通电阻:42mΩ@10V,4.3A

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:5.6A

    输入电容:340pF@20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:13nC@10V

    阈值电压:1.5V@250μA

    导通电阻:51mΩ@10V,3.2A

    输入电容:370pF@20V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    功率:960mW€1.7W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:15nC@10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    功率:750mW

    输入电容:540pF@20V

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:3A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:15nC@10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    功率:750mW

    输入电容:540pF@20V

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:3A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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