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    品牌: VISHAY
    类型: 1个N沟道
    漏源电压: 40V
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    当前匹配商品:30+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40014M-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40014M-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40014M-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:275nC@10V

    输入电容:15.78nF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:990mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:394W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:5.75nF@25V

    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:394W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

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    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:394W

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    栅极电荷:102nC@10V

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    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:394W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:5.75nF@25V

    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:394W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:5.75nF@25V

    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40014M-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40014M-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40014M-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.4V@250μA

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    连续漏极电流:200A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:990mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR402EP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR402EP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR402EP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:7.5W€150W

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:165nC@10V

    输入电容:9.1nF@20V

    连续漏极电流:291A€65.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

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    ECCN:EAR99

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:394W

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    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

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    功率:394W

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    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:5.75nF@25V

    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:394W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:5.75nF@25V

    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    工作温度:-55℃~+175℃

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    阈值电压:3.5V@250μA

    功率:394W

    输入电容:5.75nF@25V

    栅极电荷:102nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40014M-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40014M-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40014M-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:275nC@10V

    输入电容:15.78nF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:990mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40014M-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40014M-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40014M-GE3

    栅极电荷:275nC@10V

    阈值电压:2.4V@250μA

    连续漏极电流:200A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    工作温度:-55℃~+175℃

    输入电容:15.78nF@20V

    功率:375W

    导通电阻:990mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR402EP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR402EP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR402EP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:7.5W€150W

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:165nC@10V

    输入电容:9.1nF@20V

    连续漏极电流:291A€65.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40014M-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40014M-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40014M-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:275nC@10V

    输入电容:15.78nF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:990mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:75nC@10V

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订1600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订1600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR402EP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR402EP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR402EP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:7.5W€150W

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:165nC@10V

    输入电容:9.1nF@20V

    连续漏极电流:291A€65.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR402EP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR402EP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR402EP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:7.5W€150W

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:165nC@10V

    输入电容:9.1nF@20V

    连续漏极电流:291A€65.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:75nC@10V

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:75nC@10V

    输入电容:4nF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:75nC@10V

    输入电容:4nF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:75nC@10V

    输入电容:4nF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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