采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.579nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@22A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.579nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@22A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：1.018nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.579nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@22A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.579nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@22A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.579nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@22A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.579nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@22A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD24N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：230W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3.5nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：220Ω@10V，10A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT5N50C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，2.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.579nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@22A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N50E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.579nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@22A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD25N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3.5nF@25V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，12.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD25N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3.5nF@25V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，12.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD24N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：230W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3.5nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：220Ω@10V，10A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD25N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3.5nF@25V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，12.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT9N50D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：790pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：24pF@25V
导通电阻：700mΩ@10V，4.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF20N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：230W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：1.92nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：260mΩ@10V，10A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF20N50
连续漏极电流：20A
漏源电压：500V
功率：230W
类型：1个N沟道
输入电容：1.92nF@25V
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：260mΩ@10V，10A
工作温度：-55℃~+150℃
反向传输电容：18pF@25V
栅极电荷：56nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3
漏源电压：500V
功率：446W
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@22A，10V
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：36A
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：5.579nF@25V
栅极电荷：180nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3
漏源电压：500V
功率：446W
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@22A，10V
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：36A
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：5.579nF@25V
栅极电荷：180nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：500V
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
输入电容：360pF@25V
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：500V
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：8A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：125W€3.1W
栅极电荷：63nC@10V
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
输入电容：1.3nF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3
漏源电压：500V
功率：446W
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@22A，10V
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：36A
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：5.579nF@25V
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
