采购热线 400-661-9010
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2020-3/TR
功率：320mW
阈值电压：850mV@250μA
连续漏极电流：830mA
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2021-3/TR
功率：310mW
阈值电压：850mV@250μA
连续漏极电流：820mA
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2020-3/TR
功率：320mW
阈值电压：850mV@250μA
连续漏极电流：830mA
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2021-3/TR
功率：310mW
阈值电压：850mV@250μA
连续漏极电流：820mA
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2021-3/TR
功率：310mW
阈值电压：850mV@250μA
连续漏极电流：820mA
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2021-3/TR
功率：310mW
阈值电压：850mV@250μA
连续漏极电流：820mA
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
阈值电压：850mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
类型：1个N沟道
连续漏极电流：3.77A
漏源电压：20V
功率：750mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
阈值电压：850mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
类型：1个N沟道
连续漏极电流：3.77A
漏源电压：20V
功率：750mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2302CDS-T1-GE3
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：850mV@250µA
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：710mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
阈值电压：850mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
类型：1个N沟道
连续漏极电流：3.77A
漏源电压：20V
功率：750mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2302CDS-T1-GE3
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：850mV@250µA
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：710mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
