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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2300
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2502TR(UMW)
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2300
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2300
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2300
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2502TR(UMW)
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2502TR(UMW)
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：900mV@250μA
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
功率：490mW€5W
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
栅极电荷：11nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@50μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，8.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：4.2A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
栅极电荷：12nC@5V
阈值电压：1.2V@250μA
导通电阻：45mΩ@4.5V，4.2A
输入电容：740pF@15V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
