采购热线 400-661-9010
销售单位：个
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.4nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@4.5V，7.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.4nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@4.5V，7.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2016-3/TR
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2016-3/TR
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.4nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@4.5V，7.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2016-3/TR
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2302
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2302
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2302
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
