品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S2L-23
功率:100W
阈值电压:2V@50μA
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,22A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2L H6327
功率:360mW
阈值电压:2V@2.7μA
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@10V,270mA
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:8W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@5V
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@10V,8A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S2L-23
功率:100W
阈值电压:2V@50μA
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,22A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S2L-23
功率:100W
阈值电压:2V@50μA
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,22A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2L H6327
功率:360mW
阈值电压:2V@2.7μA
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@10V,270mA
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2L H6327
功率:360mW
阈值电压:2V@2.7μA
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@10V,270mA
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":6350}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N055MDG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":6350}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N055MDG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4973}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E3R2-55C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:258nC@10V
输入电容:15.3nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S2L-23
功率:100W
阈值电压:2V@50μA
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,22A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2L H6327
功率:360mW
阈值电压:2V@2.7μA
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@10V,270mA
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":3000,"11+":1586,"12+":1666,"13+":1644,"9999":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7535-55A,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:85W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:872pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107W€3.8W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:1.696nF@25V
连续漏极电流:53A
类型:1个N沟道
导通电阻:16.5mΩ@28A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S2L-23
功率:100W
阈值电压:2V@50μA
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,22A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":350}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP82N055NUG-S18-AY
功率:1.8W€143W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
输入电容:9.6nF@25V
连续漏极电流:82A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@41A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1172,"12+":2500,"9999":680}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9514-55A,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:149W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:3.307nF@25V
连续漏极电流:73A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP40N055KLE-E1-AY
功率:66W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@5V
输入电容:1.95nF@25V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:500pC@4.5V
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4Ω@4.5V,200mA
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9514-55A,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:149W
阈值电压:2V@1mA
输入电容:3.307nF@25V
连续漏极电流:73A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS3205RA
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP064NPBF-JSM
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:170nC@10V
输入电容:4nF@25V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
反向传输电容:480pF@25V
导通电阻:8mΩ@10V,59A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP3205
功率:210W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:146nC@10V
输入电容:3.247nF@25V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
反向传输电容:211pF@25V
导通电阻:7.2mΩ@10V,40A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7535-55A,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:85W
阈值电压:4V@1mA
输入电容:872pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9514-55A,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:149W
阈值电压:2V@1mA
输入电容:3.307nF@25V
连续漏极电流:73A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS3205RA
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP3205
功率:210W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:146nC@10V
输入电容:3.247nF@25V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
反向传输电容:211pF@25V
导通电阻:7.2mΩ@10V,40A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":25,"12+":4144,"9999":116}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7528-55A,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:99W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:1.165nF@25V
连续漏极电流:42A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":700,"9999":259}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK754R0-55B,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.776nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: