品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.8nC@10V
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: