采购热线 400-661-9010
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF990N65EC_T0_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：22.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KNXC7G
功率：53W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF11N65-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R057M1HXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：133W
阈值电压：5.7V@5mA
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：管件
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R057M1HXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：133W
阈值电压：5.7V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：管件
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R057M1HXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：133W
阈值电压：5.7V@5mA
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：管件
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380A65Y，S4X
功率：30W
阈值电压：4V@360μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R057M1HXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：133W
阈值电压：5.7V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：管件
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R057M1HXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：133W
阈值电压：5.7V@5mA
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：管件
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KNXC7G
功率：53W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190E65Z，S1X
功率：130W
阈值电压：4V@610μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@300V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R057M1HXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：133W
阈值电压：5.7V@5mA
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：管件
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF11N65-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF11N65-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
