品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.06nF@25V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRD2N65
功率:37W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:4Ω@10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRD2N65
功率:37W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:4Ω@10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRD2N65
漏源电压:650V
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:4Ω@10V
类型:1个N沟道
功率:37W
连续漏极电流:2A
包装清单:商品主体 * 1
库存: