品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5412_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:45A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5412_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:45A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5412_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:45A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5412_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:45A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5412_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:45A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5412_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:45A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5412_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:45A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5412_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:45A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5412_R2_00001
导通电阻:12mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:45A€10A
类型:1个N沟道
功率:2W€40W
栅极电荷:7.1nC@4.5V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
输入电容:660pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
功率:33W
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:923pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXN018-30QLJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:10.9W€1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@15V
连续漏极电流:7.5A€19.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3071LFR4-7R
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8870
工作温度:-55℃~+175℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.16nF@15V
连续漏极电流:21A€160A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8880
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@15V
连续漏极电流:11.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@10V,11.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28ENEAR
工作温度:-55℃~+175℃
功率:660mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:37mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: