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    类型: 1个N沟道
    漏源电压: 30V
    连续漏极电流: 4.5A
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E045TNTR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E045TNTR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6E045TNTR

    功率:950mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:10.7nC@4.5V

    输入电容:540pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订14个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订14个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E045TNTR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E045TNTR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6E045TNTR

    功率:950mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:10.7nC@4.5V

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    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E045TNTR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E045TNTR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6E045TNTR

    功率:950mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:10.7nC@4.5V

    输入电容:540pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 N0300N-T1B-AT 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 N0300N-T1B-AT 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):N0300N-T1B-AT

    功率:1.25W

    ECCN:EAR99

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订5869个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订5869个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":204000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E045TNTR 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E045TNTR 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6E045TNTR

    功率:950mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:10.7nC@4.5V

    输入电容:540pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 N0300N-T1B-AT 起订1628个装
    RENESAS Mosfet场效应管 N0300N-T1B-AT 起订1628个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):N0300N-T1B-AT

    功率:1.25W

    ECCN:EAR99

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W€1.66W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@10V,3.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订30个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订30个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W€1.66W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@10V,3.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W€1.66W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@10V,3.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E045TNTR 起订6000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E045TNTR 起订6000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6E045TNTR

    功率:950mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:10.7nC@4.5V

    输入电容:540pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E045TNTR 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E045TNTR 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6E045TNTR

    功率:950mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:10.7nC@4.5V

    输入电容:540pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W€1.66W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@10V,3.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E045TNTR 起订9000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E045TNTR 起订9000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6E045TNTR

    功率:950mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:10.7nC@4.5V

    输入电容:540pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    功率:530mW€4.46W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R 起订150000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R 起订150000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37EN2R

    导通电阻:36mΩ@10V,4.5A

    输入电容:209pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    功率:510mW€5W

    工作温度:-55℃~+150℃

    栅极电荷:6.3nC@10V

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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