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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@10V，3.1mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2304
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：117mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E025SNTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.1nC@5V
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2304
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：117mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2304
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：117mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL3402
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：5nC@10V
输入电容：390pF@0V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：41pF@0V
导通电阻：50mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2304
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：117mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E025SNTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.1nC@5V
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E025SNTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.1nC@5V
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@10V，3.1mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL3402
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：5nC@10V
输入电容：390pF@0V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：41pF@0V
导通电阻：50mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2304
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：2.5A
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
导通电阻：117mΩ@10V，2.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E025SNTL
导通电阻：70mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：165pF@10V
类型：1个N沟道
栅极电荷：4.1nC@5V
连续漏极电流：2.5A
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL3402
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：5nC@10V
输入电容：390pF@0V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：41pF@0V
导通电阻：50mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL3402
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：5nC@10V
输入电容：390pF@0V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：41pF@0V
导通电阻：50mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL3402
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：5nC@10V
输入电容：390pF@0V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：41pF@0V
导通电阻：50mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E025SNTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.1nC@5V
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025N03TL
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：92mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E025SNTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.1nC@5V
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E025SNTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.1nC@5V
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
功率：740mW
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
