品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT100N03MD
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:50nC@5V
输入电容:2.5nF@15V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:300pF@10V
导通电阻:3.4mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT70N03D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:53W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:16.5nC@4.5V
输入电容:1.485nF@25V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
反向传输电容:170pF@25V
导通电阻:5.5mΩ@10V,33A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT100N03MD
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:50nC@5V
输入电容:2.5nF@15V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:300pF@10V
导通电阻:3.4mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT130N03D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:79.1nC@10V
输入电容:2.4nF@15V
连续漏极电流:130A
类型:1个N沟道
反向传输电容:350pF@15V
导通电阻:2.5mΩ@10V,19A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT70N03D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:53W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:16.5nC@4.5V
输入电容:1.485nF@25V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
反向传输电容:170pF@25V
导通电阻:5.5mΩ@10V,33A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT100N03MD
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:50nC@5V
输入电容:2.5nF@15V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:300pF@10V
导通电阻:3.4mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT100N03MD
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:50nC@5V
输入电容:2.5nF@15V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:300pF@10V
导通电阻:3.4mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT130N03D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:79.1nC@10V
输入电容:2.4nF@15V
连续漏极电流:130A
类型:1个N沟道
反向传输电容:350pF@15V
导通电阻:2.5mΩ@10V,19A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT100N03MC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:50nC@5V
输入电容:2.5nF@15V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:300pF@10V
导通电阻:3.4mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:16nC@5V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:2.5W
连续漏极电流:11A
输入电容:1.205nF@15V
导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
阈值电压:3V@250μA
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
功率:2.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:8.4nC@10V
类型:1个N沟道
功率:1.5W
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
阈值电压:3V@250μA
输入电容:465pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:6.5A€6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:16nC@5V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:2.5W
连续漏极电流:11A
输入电容:1.205nF@15V
导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8878
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:16mΩ@9A,10V
类型:1个N沟道
功率:2.4W
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
连续漏极电流:9A€10A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:7.2mΩ@10V,14.8A
漏源电压:30V
输入电容:2.855nF@15V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:2.3W€31W
栅极电荷:42nC@10V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
阈值电压:3V@250μA
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8878
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:16mΩ@9A,10V
类型:1个N沟道
功率:2.4W
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
连续漏极电流:9A€10A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
栅极电荷:16nC@5V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:2.5W
连续漏极电流:11A
输入电容:1.205nF@15V
导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:8.4nC@10V
类型:1个N沟道
功率:1.5W
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
阈值电压:3V@250μA
输入电容:465pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:6.5A€6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:7.2mΩ@10V,14.8A
漏源电压:30V
输入电容:2.855nF@15V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:2.3W€31W
栅极电荷:42nC@10V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:8.4nC@10V
类型:1个N沟道
功率:1.5W
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
阈值电压:3V@250μA
输入电容:465pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A€6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
输入电容:570pF@15V
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
栅极电荷:15nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8878
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:9A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5547,"21+":368,"22+":2450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8878
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:9A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: