品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W€3.3W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:210nC@10V
输入电容:10.23nF@40V
连续漏极电流:299A€29A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DIT120N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:220W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:163nC@10V
输入电容:6.5nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DIT120N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:220W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:163nC@10V
输入电容:6.5nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DIT120N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:220W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:163nC@10V
输入电容:6.5nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC2D9N08H
工作温度:-55℃~+175℃
功率:166W€3.8W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:68nC@10V
输入电容:4.38nF@40V
连续漏极电流:23A€154A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC2D9N08H
工作温度:-55℃~+175℃
功率:166W€3.8W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:68nC@10V
输入电容:4.38nF@40V
连续漏极电流:23A€154A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DIT120N08
输入电容:6.5nF@25V
阈值电压:4V@250μA
功率:220W
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
漏源电压:80V
连续漏极电流:120A
栅极电荷:163nC@10V
导通电阻:6mΩ@40A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
漏源电压:80V
功率:1.6W
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
漏源电压:80V
功率:1.6W
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:3mΩ@80A,10V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:112nC@10V
功率:300W
漏源电压:80V
输入电容:6.32nF@40V
连续漏极电流:220A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
漏源电压:80V
功率:1.6W
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N08-16-E3
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:16mΩ@40A,10V
类型:1个N沟道
功率:3W€136W
漏源电压:80V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:40A
输入电容:1.96nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: