品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT110N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:1.7V
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:54pF@25V
导通电阻:9.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"1E+":20000,"1F+":20000,"1G+":27500,"1H+":7500,"1J+":10000,"1K+":27500}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0349DPA-01#J0B
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
输入电容:3.85nF@10V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@22.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"1E+":20000,"1F+":20000,"1G+":27500,"1H+":7500,"1J+":10000,"1K+":27500}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0349DPA-01#J0B
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
输入电容:3.85nF@10V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@22.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB45N06S4L08ATMA3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.78nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.9mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB45N06S4L08ATMA3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.78nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.9mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI045N03PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:16W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.3nF@15V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT110N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:1.7V
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:54pF@25V
导通电阻:9.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT110N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:1.7V
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:54pF@25V
导通电阻:9.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB45N06S4L08ATMA3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.78nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.9mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB45N06S4L08ATMA3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.78nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.9mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI045N03PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:16W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.3nF@15V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB45N06S4L08ATMA3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.78nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.9mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT110N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:1.7V
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:54pF@25V
导通电阻:9.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS060N03ZC
功率:28W
阈值电压:1.7V@250μA
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP50NF25
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2670pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@22A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7544-ES
功率:30W
阈值电压:1.75V@250μA
栅极电荷:48nC
输入电容:2.2nF
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:242pF
导通电阻:4mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT110N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:1.7V
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:54pF@25V
导通电阻:9.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN2R203NC,L1Q(M
功率:700mW
阈值电压:2.3V@500μA
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2mΩ@10V,22.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GT130N10F
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
包装方式:管件
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.8mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT110N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:1.7V
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:54pF@25V
导通电阻:9.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"1E+":20000,"1F+":20000,"1G+":27500,"1H+":7500,"1J+":10000,"1K+":27500}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0349DPA-01#J0B
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
输入电容:3.85nF@10V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@22.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":136,"22+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB45N06S4L08ATMA3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.78nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.9mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: