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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5nC@10V
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5nC@10V
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：15nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
功率：750mW
输入电容：540pF@20V
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：15nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
功率：750mW
输入电容：540pF@20V
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
