采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6003KND3TL1
工作温度：150℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：185pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：7.6nC@10V
输入电容：242pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：7.6nC@10V
输入电容：242pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
