采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：1.8nC@4.5V
输入电容：193pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，1.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS816NWH6327
功率：500mW
阈值电压：750mV@3.7μA
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@2.5V，1.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS816NWH6327
功率：500mW
阈值电压：750mV@3.7μA
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@2.5V，1.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS816NWH6327
功率：500mW
阈值电压：750mV@3.7μA
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@2.5V，1.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS316NH6327
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@10V，1.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSD316SN H6327
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7μA
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@10V，1.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS316NH6327
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@10V，1.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS316NH6327
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@10V，1.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS316NH6327
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@10V，1.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSD316SN H6327
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7μA
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@10V，1.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSD316SN H6327
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7μA
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@10V，1.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS816NWH6327
阈值电压：750mV@3.7μA
功率：500mW
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
导通电阻：160mΩ@2.5V，1.4A
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7μA
栅极电荷：600pC@5V
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW€500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：105pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：132mΩ@10V，1.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：235mΩ@4.5V，800mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K56ACT，L3F
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：235mΩ@4.5V，800mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7μA
栅极电荷：600pC@5V
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@10V，1.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7μA
栅极电荷：600pC@5V
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：235mΩ@4.5V，800mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW€500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：105pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：132mΩ@10V，1.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@10V，910mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@10V，910mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN361BN
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，1.4A
阈值电压：3V@250μA
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：193pF@15V
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
导通电阻：235mΩ@4.5V，800mA
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：600pC@5V
输入电容：94pF@15V
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
阈值电压：2V@3.7μA
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
