采购热线 400-661-9010
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP234N08013R-G
功率：350mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：1.32nC@10V
输入电容：64pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@400mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP234N08013R-G
功率：350mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：1.32nC@10V
输入电容：64pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@400mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM4153-3/TR
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP234N08013R-G
功率：350mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：1.32nC@10V
输入电容：64pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@400mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP234N08013R-G
功率：350mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：1.32nC@10V
输入电容：64pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@400mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM4153-3/TR
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM4153-3/TR
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM4153-3/TR
功率：300mW
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
连续漏极电流：800mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM4153-3/TR
功率：300mW
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
连续漏极电流：800mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM4153-3/TR
功率：300mW
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
连续漏极电流：800mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：323mW€554mW
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：3.6nC@10V
输入电容：101pF@30V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP234N08013R-G
功率：350mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：1.32nC@10V
输入电容：64pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@400mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPT2N32-6/TR
功率：1.1W
阈值电压：860mV@250μA
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：323mW€554mW
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：3.6nC@10V
输入电容：101pF@30V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：323mW€554mW
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：3.6nC@10V
输入电容：101pF@30V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPT2N32-6/TR
功率：1.1W
阈值电压：860mV@250μA
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K56FS，LF
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：1nC@4.5V
输入电容：55pF@10V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：800mA
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
