品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3 G
功率:136W
阈值电压:4V@83μA
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:11mΩ@10V,75A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT080N10D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.65nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@50V
导通电阻:6mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA66EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:5.4nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA66EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:5.4nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75N65DM6-4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75N65DM6-4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT080N10D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.65nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@50V
导通电阻:6mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7C10-75AITE,118
工作温度:-55℃~+175℃
功率:272W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:121nC@10V
输入电容:4.7nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT080N10D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.65nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@50V
导通电阻:6mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":700,"9999":259}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK754R0-55B,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.776nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT080N10K
功率:100W
阈值电压:1.3V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT69M5LH3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€96W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.406nF@30V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA75N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA75N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":783,"16+":286,"MI+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7C10-75AITE,118
工作温度:-55℃~+175℃
功率:272W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:121nC@10V
输入电容:4.7nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":783,"16+":286,"MI+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7C10-75AITE,118
工作温度:-55℃~+175℃
功率:272W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:121nC@10V
输入电容:4.7nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":294}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3357-A
功率:150W€3W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
输入电容:9.8nF@10V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.8mΩ@38A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":700,"9999":259}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK754R0-55B,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.776nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA75N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: