品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15ALZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:1.76nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:42mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MLS60R150W
工作温度:-55℃~+150℃
功率:220W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.86nF@25V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
反向传输电容:56pF@25V
导通电阻:126mΩ@10V,9A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15ALZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:1.76nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:42mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G26N02K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:26nC@4.5V
输入电容:777pF@10V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
反向传输电容:140pF@10V
导通电阻:9mΩ@4.5V,3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15ALZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:1.76nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:42mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15ALZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:1.76nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:42mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15ALZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:1.76nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:42mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G26N02K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:26nC@4.5V
输入电容:777pF@10V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
反向传输电容:140pF@10V
导通电阻:9mΩ@4.5V,3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MLS60R150W
工作温度:-55℃~+150℃
功率:220W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.86nF@25V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
反向传输电容:56pF@25V
导通电阻:126mΩ@10V,9A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:63W
输入电容:1.285nF@75V
漏源电压:150V
导通电阻:40mΩ@26A,10V
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G26N02K
类型:1个N沟道
栅极电荷:26nC@4.5V
导通电阻:9mΩ@4.5V,3A
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
功率:33W
输入电容:777pF@10V
阈值电压:700mV@250μA
连续漏极电流:26A
反向传输电容:140pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15ALZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:1.76nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:42mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G26N02K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:26nC@4.5V
输入电容:777pF@10V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
反向传输电容:140pF@10V
导通电阻:9mΩ@4.5V,3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.735nF@50V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@10V,5A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.735nF@50V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@10V,5A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.7W
阈值电压:800mV@50μA
栅极电荷:52nC@4.5V
输入电容:3.62nF@10V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
反向传输电容:620pF@10V
导通电阻:1.5mΩ@10V,20A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G26N02K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:26nC@4.5V
输入电容:777pF@10V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
反向传输电容:140pF@10V
导通电阻:9mΩ@4.5V,3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: