采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0901NS
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.9mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N03D3
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@10V，17A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@10V，17A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N03D3
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0901NS
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.9mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA28N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：105nC@10V
输入电容：5.14nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@10V，14A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0901NS
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.9mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N03D3
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA28N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：105nC@10V
输入电容：5.14nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@10V，14A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N03D3-L
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N03D3
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N03D3
阈值电压：2.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N03D3
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N03D3
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA28N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：105nC@10V
输入电容：5.14nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@10V，14A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N03D3
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：635}
包装规格(MPQ)：249psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3483-Z-AZ
功率：1W€40W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2.3nF@10V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N03D3
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N03D3
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G28N03D3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：891pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
反向传输电容：144pF@15V
导通电阻：6.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N03D3
阈值电压：2.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N03D3
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N03D3
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
