品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3400H
功率:1.4W
阈值电压:1.45V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3400H
功率:1.4W
阈值电压:1.45V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM3400
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:9.7nC@4.5V
输入电容:823pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:77pF@15V
导通电阻:25mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051L-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:2.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM3400
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:9.7nC@4.5V
输入电容:823pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:77pF@15V
导通电阻:25mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS3400MC
功率:1.4W
阈值电压:1.1V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@2.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFML8244TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.35V@10μA
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,5.8A
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML0030TRPBF-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:21mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:海德
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HD3400
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL3400A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:17.5nC@10V
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:71pF@15V
导通电阻:35mΩ@10V,5.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:海德
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HD3400
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3480C-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:21mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3400H
功率:1.4W
阈值电压:1.45V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3400H
功率:1.4W
阈值电压:1.45V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM3400
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:9.7nC@4.5V
输入电容:823pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:77pF@15V
导通电阻:25mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN2306LT1G
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN2306LT1G
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFML8244TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.35V@10μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,5.8A
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM3400
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:9.7nC@4.5V
输入电容:823pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:77pF@15V
导通电阻:25mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS3400MC
功率:1.4W
阈值电压:1.1V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@2.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS3400MC
功率:1.4W
阈值电压:1.1V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@2.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051L-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:2.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3480C-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:21mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN2306LT1G
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN2306LT1G
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM3400
连续漏极电流:5.8A
功率:1.4W
漏源电压:30V
输入电容:823pF@15V
反向传输电容:77pF@15V
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,5.8A
栅极电荷:9.7nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051L-7
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:2.2V@250μA
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
输入电容:424pF@5V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: