采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2000}
包装规格(MPQ)：506psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0008RXDQS#H1
功率：10W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：44pF@0V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2000}
包装规格(MPQ)：506psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0008RXDQS#H1
功率：10W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：44pF@0V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GDSSF2300
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GDSSF2300
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GDSSF2300
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2000}
包装规格(MPQ)：506psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0008RXDQS#H1
功率：10W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：44pF@0V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：500V
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
输入电容：360pF@25V
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
