采购热线 400-661-9010
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.5nC@10V
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RW4E075AJTCL1
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@2mA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.5nC@10V
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.4nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@4.5V，7.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.4nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@4.5V，7.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416A
功率：1.39W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：10nC
输入电容：1.3nF
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：13mΩ@4.5V，7.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.255nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：平伟实业
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：8N06G
功率：13.5W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RW4E075AJTCL1
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@2mA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.255nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
