品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.3nC@5V
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:2.4V@1mA
输入电容:35pF@18V
连续漏极电流:270mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:1nC@10V
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:270mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.3nC@5V
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:310mW
阈值电压:2.1V@250μA
连续漏极电流:270mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:500pC@4.5V
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.3nC@5V
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:1nC@10V
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:270mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.3nC@5V
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:270mA
栅极电荷:1nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:2.1V@250μA
漏源电压:60V
导通电阻:2.8Ω@10V,200mA
输入电容:23.6pF@10V
功率:310mW€1.67W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:270mA
漏源电压:30V
阈值电压:1.5V@100μA
输入电容:33pF@5V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.3nC@5V
功率:330mW
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@4V,10mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: