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    连续漏极电流
    栅极电荷
    漏源电压
    类型: 1个N沟道
    连续漏极电流: 270mA
    当前匹配商品:10+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数714000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数714000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:1.3nC@5V

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@4V,10mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306A 起订数8000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306A 起订数8000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    输入电容:35pF@18V

    连续漏极电流:270mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:1nC@10V

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8Ω@10V,200mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数1500个
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数1500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:1.3nC@5V

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@4V,10mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKSX 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKSX 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:310mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    连续漏极电流:270mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8Ω@10V,200mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:500pC@4.5V

    输入电容:36.3pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@4V,10mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数3000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数3000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:1.3nC@5V

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@4V,10mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:1nC@10V

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8Ω@10V,200mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数200个
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数200个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:1.3nC@5V

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@4V,10mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    连续漏极电流:270mA

    栅极电荷:1nC@10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    阈值电压:2.1V@250μA

    漏源电压:60V

    导通电阻:2.8Ω@10V,200mA

    输入电容:23.6pF@10V

    功率:310mW€1.67W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数3000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数3000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    连续漏极电流:270mA

    漏源电压:30V

    阈值电压:1.5V@100μA

    输入电容:33pF@5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    栅极电荷:1.3nC@5V

    功率:330mW

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@4V,10mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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