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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4N60K
功率：44.6W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UMW4N65F
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UMW4N65F
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UMW4N65F
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRI4N65
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD4N70
功率：70W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF4N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.5pF@25V
导通电阻：2Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UMW4N65F
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UMW4N65F
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRI4N65
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830APBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD4N70
功率：70W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4N60K
功率：44.6W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRF4N65
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830APBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N70D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：49W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2.6Ω@10V，2A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD4N65
功率：75W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AF4N60S
功率：106W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.4Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT4N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF4N65
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
功率：25W
漏源电压：650V
阈值电压：4V@250μA
输入电容：545pF@25V
反向传输电容：4.5pF@25V
栅极电荷：15nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：2Ω@10V，2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4N60K
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
功率：44.6W
类型：1个N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2.4Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N70C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：49W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2.6Ω@10V，2A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N70C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：49W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2.6Ω@10V，2A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
