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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQA410CEJW-T1_GE3
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功率：13.6W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
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输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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ECCN：EAR99
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输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
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导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
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输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SQA410CEJW-T1_GE3
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连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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栅极电荷：8nC@4.5V
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输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SQA410CEJW-T1_GE3
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功率：13.6W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA410CEJW-T1_GE3
功率：13.6W
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
输入电容：525pF@10V
栅极电荷：8nC@4.5V
连续漏极电流：7.8A
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：1.1V@250μA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD10N20CTM
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，3.9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD10N20CTM
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，3.9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.1nF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD10N20CTM
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，3.9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.1nF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50-JSM
功率：190W
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，4.7A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50
功率：190W
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，4.7A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
