采购热线 400-661-9010
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
连续漏极电流：100mA
输入电容：7.1pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100μA
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100μA
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：570pC@4.5V
输入电容：9pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100μA
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
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品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-65℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：570pC@4.5V
输入电容：9pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
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功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100μA
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
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功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
连续漏极电流：100mA
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：3Ω@10mA，4V
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
连续漏极电流：100mA
输入电容：9.3pF@3V
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