品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R900P7S
功率:6.5W
阈值电压:3.5V@60μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:900mΩ@10V,1.1A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":27500,"20+":17500,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2300F
功率:1.25W
阈值电压:650mV
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:27mΩ@4.5V,2.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT60N12T
功率:140W
阈值电压:2.5V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.6mΩ@10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3K8N15KE
阈值电压:2.5V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006KND3TL1
功率:70W
阈值电压:5.5V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:830mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW8N120K5
功率:130W
阈值电压:5V@100μA
包装方式:管件
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,2.5A
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R900P7S
功率:3.5W
阈值电压:3.5V@60μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:900mΩ@10V,1.1A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFW8N120K5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:5V@100μA
栅极电荷:13.7nC@10V
输入电容:505pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@2.5A,10V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R900P7S
功率:3.5W
阈值电压:3.5V@60μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:900mΩ@10V,1.1A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R600P7S
功率:7W
阈值电压:4V@80μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,1.7A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R600P7S
功率:7W
阈值电压:4V@80μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,1.7A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2300F
功率:1.25W
阈值电压:650mV
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:27mΩ@4.5V,2.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2300F
功率:1.25W
阈值电压:650mV
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:27mΩ@4.5V,2.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R600P7S
功率:7W
阈值电压:4V@80μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,1.7A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA06N80C3
功率:39W
阈值电压:3.9V@250μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:900mΩ@10V,3.8A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K335R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP06N80C3
功率:83W
阈值电压:3.9V@250μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:900mΩ@10V,3.8A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8006KNXC7G
功率:52W
阈值电压:4.5V@4mA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K335R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R600P7S
功率:7W
阈值电压:4V@80μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,1.7A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2.5V@100μA
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2300F
功率:1.25W
阈值电压:650mV
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:27mΩ@4.5V,2.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: