采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW8N120K5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：5V@100μA
栅极电荷：13.7nC@10V
输入电容：505pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@2.5A，10V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28.4W
阈值电压：4.5V@600μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.315nF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：86W
阈值电压：7V@800μA
栅极电荷：15.5nC@15V
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28.4W
阈值电压：4.5V@600μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.315nF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28.4W
阈值电压：4.5V@600μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.315nF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28.4W
阈值电压：4.5V@600μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.315nF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：86W
阈值电压：7V@800μA
栅极电荷：15.5nC@15V
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW8N120K5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：5V@100μA
栅极电荷：13.7nC@10V
输入电容：505pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@2.5A，10V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF06N80A-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：22W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：349pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNJGTL
输入电容：410pF@100V
阈值电压：7V@800μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：600V
栅极电荷：15.5nC@15V
连续漏极电流：6A
功率：86W
导通电阻：936mΩ@3A，15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1637
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：86W
阈值电压：7V@800μA
栅极电荷：15.5nC@15V
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：28.4W
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：4.5V@600μA
栅极电荷：29nC@10V
类型：1个N沟道
输入电容：1.315nF@100V
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
连续漏极电流：6A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2260
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：426pF@30V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：44mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：86W
阈值电压：7V@800μA
栅极电荷：15.5nC@15V
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1637
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：86W
阈值电压：7V@800μA
栅极电荷：15.5nC@15V
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：10.5nC@5V
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF06N80A-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：22W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：349pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1637
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：86W
阈值电压：7V@800μA
栅极电荷：15.5nC@15V
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：45nC@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：11.4nC@10V
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@10V，7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：11.4nC@10V
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@10V，7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：86W
阈值电压：7V@800μA
栅极电荷：15.5nC@15V
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：86W
阈值电压：7V@800μA
栅极电荷：15.5nC@15V
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@5V
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：31.8mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
