品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT105N10T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:74W
阈值电压:1.7V
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:1.625nF@50V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
反向传输电容:14pF@50V
导通电阻:8.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"4H+":2365}
销售单位:个
规格型号(MPN):HAT2165N-EL-E
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
输入电容:5.18nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":18856,"MI+":400}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0329DPB-01#J0
功率:60W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
输入电容:5.33nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":1000}
包装规格(MPQ):156psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3058-Z-E1-AZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2.1nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":18857,"MI+":400}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0329DPB-01#J0
功率:60W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
输入电容:5.33nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"4H+":2365}
销售单位:个
规格型号(MPN):HAT2165N-EL-E
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
输入电容:5.18nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"4H+":2365}
销售单位:个
规格型号(MPN):HAT2165N-EL-E
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
输入电容:5.18nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN7612HDT1WG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.95nF@50V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.9pF@50V
导通电阻:8.5mΩ@10V,1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3518TRPBF-JSM
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3518TRPBF-JSM
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STO68N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:240W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:3.528nF@100V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@27.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT150N12T
阈值电压:3.7V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT095N10D5
功率:74W
阈值电压:1.8V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STO68N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:240W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:3.528nF@100V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@27.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":18856,"MI+":400}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0329DPB-01#J0
功率:60W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
输入电容:5.33nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STO68N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:240W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:3.528nF@100V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@27.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"4H+":2365}
销售单位:个
规格型号(MPN):HAT2165N-EL-E
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
输入电容:5.18nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":18856,"MI+":400}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0329DPB-01#J0
功率:60W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
输入电容:5.33nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STO68N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:240W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:3.528nF@100V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@27.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT095N10D5
功率:74W
阈值电压:1.8V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT150N12T
阈值电压:3.7V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN7612HDT1WG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.95nF@50V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.9pF@50V
导通电阻:8.5mΩ@10V,1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN7612HDT1WG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.95nF@50V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.9pF@50V
导通电阻:8.5mΩ@10V,1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3518TRPBF-JSM
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ52N30P-JSM
功率:400W
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:30mΩ@10V,25A
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT095N10K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:74W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:1.667nF@50V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT095N10K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:74W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:1.667nF@50V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT105N10T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:74W
阈值电压:1.7V
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:1.625nF@50V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
反向传输电容:14pF@50V
导通电阻:8.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS150N10SDP
功率:73W
阈值电压:1.8V@250μA
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ@4.5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ52N30P-JSM
功率:400W
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:30mΩ@10V,25A
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存: