品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2016-3/TR
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2016-3/TR
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2016-3/TR
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@10V,3.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@10V,3.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@10V,3.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@10V,3.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: