品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB07R3ENX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:914pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280P7S
功率:53W
阈值电压:4V@190μA
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@10V,3.8A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N60
功率:50W
阈值电压:4.5V@250μA
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@10V,6A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ097N04LSG
功率:2.1W
阈值电压:2V@14μA
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.7mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC3612
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA1807GR-9JG-E1-A
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:1nF@10V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC3612
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC3612
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ097N04LSG
功率:2.1W
阈值电压:2V@14μA
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.7mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ097N04LSG
功率:2.1W
阈值电压:2V@14μA
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.7mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC3612
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":61000,"32+":39000,"MI+":29813}
包装规格(MPQ):82psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S3DPP-E0#T2
功率:27.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:440mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6012JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:7V@2.5mA
栅极电荷:28nC@15V
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@6A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.335nF@75V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@75V
导通电阻:46mΩ@10V,4.4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC3612
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N60
功率:50W
阈值电压:4.5V@250μA
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@10V,6A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020YNXC7G
功率:62W
阈值电压:6V@1.65mA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.2nF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB07R3ENX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:914pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":61000,"32+":39000,"MI+":29813}
包装规格(MPQ):82psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S3DPP-E0#T2
功率:27.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:440mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280P7S
功率:53W
阈值电压:4V@190μA
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@10V,3.8A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC3612
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC3612
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3455B-S17-AY
功率:2W€50W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.8nF@10V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N60
功率:50W
阈值电压:4.5V@250μA
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@10V,6A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3G
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@23μA
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N60
功率:50W
阈值电压:4.5V@250μA
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@10V,6A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2012
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.255nF@10V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRFL12N65
功率:51W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:710mΩ@10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: