品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPF50PBF
功率:190W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:6.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,4A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040UVT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:667pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040UVT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:667pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):IRFPF50PBF
功率:190W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:6.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,4A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN2040UVT-13
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功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:667pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN2040UVT-13
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功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
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输入电容:667pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN2040UVT-13
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功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:667pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN2040UVT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:667pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):IRFPF50PBF
阈值电压:4V@250μA
漏源电压:900V
连续漏极电流:6.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,4A
功率:190W
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN2040UVT-13
阈值电压:1.5V@250μA
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:1个N沟道
功率:1.2W
输入电容:667pF@10V
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
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