品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LNTK2575LT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.2nC@4.5V
输入电容:49pF@10V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:8pF@10V
导通电阻:249mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BM3134E
阈值电压:1.1V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@4.5V,650mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BM3134E
阈值电压:1.1V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@4.5V,650mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:750mA
功率:900mW
栅极电荷:800pC@4.5V
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:33pF@16V
阈值电压:1.1V@250μA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BM3134E
阈值电压:1.1V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@4.5V,650mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BM3134KE
阈值电压:1.1V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@4.5V,650mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BM3134E
阈值电压:1.1V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@4.5V,650mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BM3134E
阈值电压:1.1V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@4.5V,650mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BM3134KE
阈值电压:1.1V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@4.5V,650mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BM3134KE
阈值电压:1.1V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@4.5V,650mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BM3134E
阈值电压:1.1V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@4.5V,650mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:470mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:460mΩ@4.5V,200mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:470mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:460mΩ@4.5V,200mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:470mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:460mΩ@4.5V,200mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:460mΩ@4.5V,200mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: