品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":5000,"13+":15000,"15+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2701GR-E1-AT
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:1.2nF@10V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"3A+":39298,"3C+":793000,"3D+":470000,"3E+":320000,"3F+":165000,"3G+":202000,"3J+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03M9DNS-00#J5
功率:10W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
输入电容:980pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.1mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2720GR-E1-A
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@5V
输入电容:2.8nF@10V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"3A+":39298,"3C+":793000,"3D+":470000,"3E+":320000,"3F+":165000,"3G+":202000,"3J+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03M9DNS-00#J5
功率:10W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
输入电容:980pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.1mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2494}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-00#T2
功率:30W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
输入电容:1.45nF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2720GR-E1-A
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@5V
输入电容:2.8nF@10V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2494}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-00#T2
功率:30W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
输入电容:1.45nF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF644PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:2.6nF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@10V,8.4A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF644PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2494}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-00#T2
功率:30W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
输入电容:1.45nF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2014
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:17.5nC@4.5V
输入电容:1.71nF@10V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC080N03LS G
功率:35W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC080N03LS G
功率:35W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT280A60L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:3.6V@250μA
栅极电荷:23.5nC@10V
输入电容:1.35nF@100V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC080N03LS G
功率:35W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT110N06S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
反向传输电容:54pF@25V
导通电阻:8.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2014
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:17.5nC@4.5V
输入电容:1.71nF@10V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
输入电容:2.038nF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@8.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: