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    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2701GR-E1-AT 起订211个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2701GR-E1-AT 起订211个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":5000,"13+":15000,"15+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA2701GR-E1-AT

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:1.2nF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03M9DNS-00#J5 起订888个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03M9DNS-00#J5 起订888个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"3A+":39298,"3C+":793000,"3D+":470000,"3E+":320000,"3F+":165000,"3G+":202000,"3J+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK03M9DNS-00#J5

    功率:10W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    输入电容:980pF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2720GR-E1-A 起订315个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2720GR-E1-A 起订315个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA2720GR-E1-A

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@5V

    输入电容:2.8nF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03M9DNS-00#J5 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03M9DNS-00#J5 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"3A+":39298,"3C+":793000,"3D+":470000,"3E+":320000,"3F+":165000,"3G+":202000,"3J+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK03M9DNS-00#J5

    功率:10W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    输入电容:980pF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5013DPP-00#T2 起订74个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5013DPP-00#T2 起订74个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":2494}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK5013DPP-00#T2

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    输入电容:1.45nF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:465mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2720GR-E1-A 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2720GR-E1-A 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA2720GR-E1-A

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@5V

    输入电容:2.8nF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5013DPP-00#T2 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5013DPP-00#T2 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":2494}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK5013DPP-00#T2

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    输入电容:1.45nF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:465mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644PBF 起订数75个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644PBF 起订数75个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP450PBF 起订数40个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP450PBF 起订数40个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:150nC@10V

    输入电容:2.6nF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@10V,8.4A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644PBF 起订数250个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644PBF 起订数250个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5013DPP-00#T2 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5013DPP-00#T2 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":2494}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK5013DPP-00#T2

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    输入电容:1.45nF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:465mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2014 起订35个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2014 起订35个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2014

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:17.5nC@4.5V

    输入电容:1.71nF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC080N03LS G 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC080N03LS G 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC080N03LS G

    功率:35W

    阈值电压:2.2V@250μA

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@10V,30A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC080N03LS G 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC080N03LS G 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC080N03LS G

    功率:35W

    阈值电压:2.2V@250μA

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@10V,30A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT280A60L 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT280A60L 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT280A60L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:3.6V@250μA

    栅极电荷:23.5nC@10V

    输入电容:1.35nF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:280mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC080N03LS G 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC080N03LS G 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC080N03LS G

    功率:35W

    阈值电压:2.2V@250μA

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@10V,30A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06S 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06S 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:1.3nF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:54pF@25V

    导通电阻:8.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2014 起订27个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2014 起订27个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2014

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:17.5nC@4.5V

    输入电容:1.71nF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP450APBF 起订数40个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP450APBF 起订数40个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:64nC@10V

    输入电容:2.038nF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

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