采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6.3nC@10V
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6.3nC@10V
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3412_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：95mΩ@1.8V，1.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6.3nC@10V
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：510mW€5W
导通电阻：42mΩ@10V，4.1A
输入电容：209pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：6.3nC@10V
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：4.1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6068SEQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：78nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3458BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30SPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30SPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30SPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30SPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@5μA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
输入电容：290pF@16V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@4.5V，4.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6.3nC@10V
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3458BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30SPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2225
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6246TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@5μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@16V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@4.5V，4.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3412_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：95mΩ@1.8V，1.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3412_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：95mΩ@1.8V，1.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3412_R1_00001
栅极电荷：4.6nC@4.5V
导通电阻：95mΩ@1.8V，1.5A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
阈值电压：1.2V@250μA
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.1A
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：4.6nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
阈值电压：1.2V@250μA
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.1A
功率：1.25W
导通电阻：56mΩ@4.1A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2225
规格型号(MPN)：IRLML6246TRPBF
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1.1V@5μA
类型：1个N沟道
输入电容：290pF@16V
连续漏极电流：4.1A
功率：1.3W
栅极电荷：3.5nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：46mΩ@4.5V，4.1A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
