采购热线 400-661-9010
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF10N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：107W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：1.11nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：950mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF10N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：107W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：1.11nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：950mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF10N65
导通电阻：950mΩ@10V，4A
连续漏极电流：10A
功率：107W
类型：1个N沟道
输入电容：1.11nF@25V
漏源电压：650V
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
反向传输电容：13pF@25V
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF360N65S3R0L-F154
工作温度：-55℃~+150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@200μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD360N65S3T4G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@200μA
栅极电荷：16.8nC@10V
输入电容：756pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF360N65S3R0L-F154
工作温度：-55℃~+150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@200μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
漏源电压：650V
阈值电压：4V@250μA
功率：39W
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：156mΩ@12A，10V
栅极电荷：122nC@10V
输入电容：2.774nF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
