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品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT180N08
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：6.234nF@42.5V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
反向传输电容：97pF@42.5V
导通电阻：3mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT180N08
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：6.234nF@42.5V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
反向传输电容：97pF@42.5V
导通电阻：3mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT035N08
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：6.234nF@42.5V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
反向传输电容：97pF@42.5V
导通电阻：3mΩ@10V，50A
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT035N08
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：6.234nF@42.5V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
反向传输电容：97pF@42.5V
导通电阻：3mΩ@10V，50A
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT180N08
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：6.234nF@42.5V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
反向传输电容：97pF@42.5V
导通电阻：3mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT035N08
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：6.234nF@42.5V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
反向传输电容：97pF@42.5V
导通电阻：3mΩ@10V，50A
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2233
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.24nF@50V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2233
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.24nF@50V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2233
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.24nF@50V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.24nF@50V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT180N08
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：6.234nF@42.5V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
反向传输电容：97pF@42.5V
导通电阻：3mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT035N08
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：6.234nF@42.5V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
反向传输电容：97pF@42.5V
导通电阻：3mΩ@10V，50A
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2233
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
连续漏极电流：185A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.24nF@50V
类型：1个N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
栅极电荷：69nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
